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セミナーのご案内 《他社主催セミナー》

【Live配信】【徹底解説】 半導体製造におけるエッチング技術の基礎知識と最新動向
2021-11-30
主 催  サイエンス&テクノロジー株式会社
日 時  2021年11月30日(火) 10:30~16:30

講 師  (株)日立製作所
     研究開発グループ 計測・エレクトロニクスイノベーションセンタ
     ナノプロセス研究部 主任研究員
     篠田 和典 氏  【専門】半導体製造プロセス
 
聴講料  1名につき49,500円(税込、資料付き)
 
【2名同時申し込みで1名分無料】
※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
 1名申込みの場合:受講料 35,200円(税込)
 
【ZOOMによるLive配信】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
・お申し込み後、接続確認用URL(https://zoom.us/test)にアクセスして接続できるか等
 ご確認下さい。
・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
・開催日時にリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
 
受講の詳細および請求書等は、サイエンス&テクノロジー株式会社よりご案内します。
◆受講料は、銀行振込(開催日まで)、もしくは当日現金にてお支払い下さい。
◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。
 キャンセルの場合は、サイエンス&テクノロジー株式会社の規定が適用されます。
 
 ◆セミナー趣旨
 半導体集積回路の微細化・三次元化は益々進み、現在は原子層レベルの制御性が求められている。本講演では、半導体集積回路の製造に不可欠なエッチング技術について、ドライエッチングおよびウェットエッチングの原理から、装置、技術潮流、各種材料のエッチング技術、そして原子層エッチングの最前線までを、メーカで光デバイスのエッチングプロセスやシリコンLSI向け先端エッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かりやすく解説する。

◆セミナー講演内容 
1.半導体デバイスのトレンド/構造/製造プロセス 
 1.1 半導体デバイスのトレンド 
 1.2 半導体デバイスの構造 
 1.3 半導体デバイスの製造プロセス 
2. 半導体製造プロセスにおけるエッチング 
 2.1 エッチングプロセスの種類 
 2.2 エッチングプロセス技術 
 2.3 エッチングプロセスの課題 
3. ドライエッチングの基礎及びプロセス技術 
 3.1 ドライエッチング装置の種類及び特徴  
 3.2 ドライエッチングプロセスの特徴・要点 
 3.3 ドライエッチングの原理 
 3.4 ドライエッチングにおけるプロセス制御の考え方 
 3.5 ドライエッチング損傷 
 3.6 各種材料のドライエッチング技術及びプロセス制御のポイント 
    Si、SiO2、Si3N4、GaAs、InP、GaN 
4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術 
 4.1 ウェットエッチングの原理 
 4.2 ウェットエッチングの律速過程 
 4.3 ウェットエッチングにおけるプロセス制御の考え方 
 4.4 各種半導体のウェットエッチング技術及びプロセス制御のポイント 
    Si、SiO2、Si3N4、GaAs、InP、GaN 
5. 原子層エッチング(ALE)の基礎と最新技術 
 5.1 原子層プロセス技術のトレンド 
 5.2 原子層エッチングの基礎と分類 
 5.3 有機金属錯体反応を用いた熱ALE 
 5.4 プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE 
 5.5 ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE 
 5.6 フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE 
6. 実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策 
7. 今後の課題  

 □ 質疑応答 □
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