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セミナーのご案内 《他社主催セミナー》

ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応の制御
2020-03-18
主 催  サイエンス&テクノロジー株式会社
日 時  2020年3月18日(水) 13:00~17:00
会 場  東京・大田区平和島 東京流通センター 2F 第1会議室
聴講料  1名につき44,000円(税込、資料付き)
 
     【2名同時申し込みで1名分無料】
     ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
     ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 
講 師  ナノテクリサーチ 代表 野尻 一男 氏
      【元・ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー(2018.11まで)】
 
  ◆受講証及び請求書は、サイエンス&テクノロジー株式会社よりお送りします。
  ◆受講料は、銀行振込(開催日まで)、もしくは当日現金にてお支払い下さい。
  ◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。
   キャンセルの場合は、サイエンス&テクノロジー株式会社の規定が適用されます。
 
 
◆セミナー趣旨◆
 
 ドライエッチング技術は、半導体デバイスの微細化・高集積化を実現するためのキーテクノロジーです。しかしながら、プラズマを用いた物理化学反応でエッチングが進むため、電気、物理、化学の総合的な知識を必要とし、かつチャンバー内で起こっている現象が複雑なため理解を難しくしています。特に半導体材料メーカーのエンジニアの方々が、自分たちの技術との関連でドライエッチングを理解することはきわめて難しい状況にあります。
 本セミナーではドライエッチングのメカニズム、各種材料のエッチング、およびドライエッチング装置について分かりやすく解説します。セミナーでは、まずドライエッチングの基礎から始め、極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムが容易に理解できるよう解説します。各種材料のエッチングでは単なる各論にとどまらず、エッチングを支配するパラメータとその制御方法について詳細に解説します。ここではプラズマからから被エッチ膜表面への入射種とエッチ速度、選択比、形状との相関関係、およびこれら加工特性の制御手法について解説します。また、半導体製造に実際に使われている各種ドライエッチング装置に関し、プラズマ発生原理や特徴について解説するとともに、プロセスを制御する上で重要な役割を担っている静電チャックについても解説します。
 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、入門としても、またドライエッチングのプロを目指す方にも最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの全体像を理解し、また自分たちの技術がどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。
 
◆講演内容◆
 
<得られる知識・技術>
・ドライエッチングのメカニズムから応用まで、難しい数式を使うことなく全容を理解することができる。
・ドライエッチングを支配するパラメータとその制御法が分かり、エッチングプロセスを組立てる上での指針を得ることができる。
・半導体の生産で実際に使われているドライエッチングプロセス・装置について学ぶことができ、実践的な知識が身に付く。
 
<プログラム>
1.はじめに ~半導体集積回路の発展とドライエッチング技術~
 1.1 ドライエッチングの概要
 1.2 LSIの高集積化にドライエッチング技術が果たす役割
2.ドライエッチングのメカニズム
 2.1 プラズマの基礎
 2.2 ドライエッチングの反応過程
 2.3 異方性エッチングのメカニズム
 2.4 エッチ速度
3.各種材料のエッチング
 3.1 ゲートエッチング
  3.1.1 選択比を支配するキーパラメータ
  3.1.2 CDのウェハ面内均一性の制御
  3.1.3 Poly-Si、WSi2/Poly-S、W/Poly-Siゲートエッチング
 3.2 SiO2エッチング
  3.2.1 SiO2エッチングのメカニズム
  3.2.2 選択比を支配するキーパラメータ
  3.2.3 形状制御
  3.2.4 高アスペクト比ホールエッチング、SACエッチング
 3.3 配線エッチング
  3.3.1 Al配線エッチング
  3.3.2 Al配線の防食処理技術
  3.3.3 その他の配線材料のエッチング
4.ドライエッチング装置
 4.1 CCPプラズマエッチャー
 4.2 マグネトロンRIE
 4.3 ECRプラズマエッチャー
 4.4 ICPプラズマエッチャー
 4.5 静電チャック
 
  □質疑応答・名刺交換□

 
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