SiCウェハ製造における加工・平坦化技術の動向
2024-11-07★Webセミナーにて開催いたします★
EVを含むパワーエレクトロニクスにおいて採用拡大が見込まれるSiCデバイス。そのウェハ製造の加工技術（切断、
研削、研磨等の平坦化）と表面の構造・形態制御などを中心に、詳細に解説して頂くことにより、関連業界の方々の
今後の事業に役立てていただくことを目的とします。
主 催 株式会社ジャパンマーケティングサーベイ
日 時 2024年11月7日 （木） 9：55～16：15
★Webセミナー（Zoomウェビナーによるライブ配信）として開催いたします。
会場での受講はありません。
聴講料 1名様 54,780円（税込） テキストを含む
定 員 ５０名
◆講演内容
1. パワー半導体用SiCウェハの製造・加工技術
産業技術総合研究所 加藤 智久 氏
本セミナーでは、今後の自動車のxEV化に必須とされるSiCパワー半導体の製造に欠かせないウェハ材料技術に
焦点を当て、現状のマーケティングとそれらを支える技術開発の動向から、現在のウェハ加工工程における課題、
技術的解決策などについて議論する。特に、ウェハサイズが８インチと大口径化が進む中、アメリカ、中国が
産業化を拡大する動向に対し、国内のウェハ加工技術の国際競争力の確保は今後、最も重視される。SiCインゴットの
切断から研削・研磨、CMPまで、今後のウェハ加工工程の技術開発における戦略を考える機会としたい。
2. SiC半導体表面の構造・形態制御
早稲田大学 乗松 航 氏
本セミナーでは、SiC半導体の表面構造と表面形態制御について、以下の順に解説します。
はじめに、SiCの結晶構造に基づいた表面形態の特徴について紹介し、特に表面のステップおよびテラスについて
詳しく解説します。その後、一般的なSiC表面形態の制御方法とそれぞれの特徴について述べ、ステップバンチング
現象とそのメカニズムを解説します。最後に、SiC表面への結晶成長や、近年見出されたステップアンバンチング
現象について紹介します。
1. 半導体の結晶構造と表面形態
2. 半導体表面形態制御方法
3. SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
4. SiC表面のステップアンバンチング現象
◆申し込み要項◆
□申し込み方法
弊社ウェブサイトのセミナー申込ページ、または講演会パンフレットの申込書に所定事項をご記入の上、
弊社宛てに送信もしくはFAXお願い致します。
申し込み書受領後、請求書をお送りします。（メール送信または郵送）
またWebセミナーの視聴方法について詳細をご案内いたします。
□お支払い
請求書に記載されている弊社指定口座に、請求日の1ヶ月以内にお振込みをお願い申し上げます。
□キャンセル
開催日の11日前まで:無料にてキャンセルする事が出来ます。
開催日の10日以内のキャンセルにつきましては、全額申し受けさせて頂きます。
□特記事項
講演会は受講者数が規定に達しない場合中止する場合があります。
尚、請求書は開催が決定した場合のみ送付いたします。
写真撮影、録音、録画を禁止いたします。
