本文へ移動

SiCパワーモジュールと耐熱組立部材の技術・市場展望

SiCパワーモジュールと耐熱組立部材の技術・市場展望

IGBTモジュールのSiC化と、高耐熱封止・接合材の動向

発刊日
2013年6月28日
価格
レポート+CD:\600,000-(税別)
CDはレポートの内容をPDF化したものです。
体裁
A4×300頁A4×215頁
略称
SiCパワーモジュール車載基板2014
市場調査対象
* パワーモジュール
   - SiベースIGBTモジュール(IPM含む)
   - SiCモジュール(ハイブリッド/フルタイプ、IPM含む)
※ フルSiCモジュールは、Si-IGBT代替のMOSFETモジュール(定格600V以上)が対象
* 封止材: EMC(全般、高耐熱タイプ)、シリコーンゲル(高耐熱タイプ)
* 接合材: 金属焼結ペースト(Agナノペースト等)

調査のポイント

◆パワーモジュール
 - パワーモジュール容量・用途別の市場拡大とSiC化の動向
 - フルSiCとハイブリッドSiCモジュールの市場性と用途別動向
 - SiC化・高温動作化・小型化とパッケージ(モジュール)技術
 - パッケージ(モジュール)の高温対応技術と部材の高耐熱化
◆封止材
 - パワーモジュール用封止材の樹脂別・耐熱別需要市場
 - 硬質封止材/シリコーンゲル封止材とSiCパワーモジュールの信頼性
 - 200℃、225℃、250℃超を保証する高耐熱封止材の開発
◆接合材
 - 高融点材の需要背景: SiC高温動作保証と高温鉛ハンダの代替
 - 高融点・高熱伝導接合材: 金属焼結ペーストの開発動向

目次

サマリー (P1~15)

第1章 技術動向編

Ⅰ. パワーデバイス (P17~49)
1. パワーデバイスの概要
2. パワーモジュールの応用分野別採用状況
3. SiC/GaNパワーデバイスの特長とその要因
4. パワーデバイスモジュール組立技術(Siベース、SiCベース)
5. SiC/GaNデバイス企業の製品化動向
 
Ⅱ. パワーモジュール用部材 (P50~70)
1. 封止材(エポキシ等の硬質封止材、シリコーンゲル等、高耐熱封止材)
2. 接合材(ハンダ、導電性ペースト、金属焼結ペースト等)
3. FUPETのSiCパワーモジュール用部材評価

第2章 市場と企業の動向編

Ⅰ. パワーモジュール (P72~208)
1. パワーモジュールの市場規模推移予測
 1.1 全体市場
 1.2 SiC/Siベース別市場
 1.3 ハイブリッド/フルタイプ別SiCベース市場
2. パワーモジュール企業の参入状況
 2.1 IGBTモジュールタイプ別参入動向
 2.2 SiCデバイスタイプ別参入状況
3. パワーモジュール主要企業の販売動向
 3.1 モジュール容量別
 3.2 アプリケーション別
 3.3 パッケージ方式別
 3.4 アプリケーションとモジュール容量とパッケージ方式別
Ⅱ. パワーモジュール用封止材 (P209~227)
1. TMC封止材の市場規模推移予測
 1.1 全体市場(IC/ディスクリート別)
 1.2 高耐熱TM封止材市場
2. 主要EMCメーカの販売動向(2012年)
 2.1 全体市場(IC/ディスクリート別)
 2.2 高耐熱TM封止材市場
 2.3 主要EMCメーカの生産能力
3. パワーモジュール向け封止材の需要規模推移予測
 3.1 封止材の使用量とその算定条件
 3.2 封止材全体市場のアプリケーション別予測
 3.3 200℃超動作温度モジュール対応封止材の潜在市場規模予測

第3章 企業事例研究

Ⅰ. パワーモジュール企業 (P229~273)
 三菱電機株式会社, Infineon Technologies, 富士電機株式会社, 株式会社日立製作所
 
Ⅱ. EMC企業 (P274~301)
 京セラケミカル株式会社, 信越化学工業株式会社, 住友ベークライト株式会社,
 パナソニック株式会社 オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社,
 日立化成株式会社
 
TOPへ戻る