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パワーモジュールとSiC化の動向

パワーモジュールとSiC化の動向

発刊日
2015年7月31日発刊
価格
レポートのみ:\65,000-(税別)
★アウトルック版レポート
   市場及び技術動向の概要をお手頃価格でご提供いたします
体裁
A4×77頁
略称
パワーモジュールとSiC

調査のポイント

◆パワーモジュール
 対象: IGBTモジュール(SiCモジュール含む)
 内容: 市場と企業の動向(2014年)と予測(~2020年)
    - 応用分野/モジュール容量/PKGタイプ別(数量/金額)
    - Si-IGBTモジュールのSiC化シフトの動き
◆主要組立部材: 封止材、Agシンター材、セラミックス基板
   (部材の製品概要及び参入企業の状況のみ。市場データなし)
 

目次

第1章 サマリー

1. パワーモジュール市場2014年の概況
 1.1 モジュール市場のアプリケーション・容量別概況 2
 1.2 パワーモジュール容量別市場のアプリケーション内訳 3
 1.3 パワーモジュール容量別市場のパッケージ方式内訳 4
 1.4 パワーモジュール容量別市場の主要企業シェア 5
2. パワーモジュール市場予測の概観
 2.1 アプリケーション別推移予測 6
 2.2 容量・アプリケーション別市場規模予測 7
3. SiCパワーモジュール動向の概観
 3.1 SiCの応用分野市場とGaN/Siパワーデバイスとのすみ分け 8
 3.2 パワーモジュール市場におけるSiC化の推移予測 9
 3.3 SiCパワーモジュールのアプリケーション別市場規模予測 10

第2章 パワーモジュールとSiC化の動向

1. パワーデバイスの概要
 1.1 パワーデバイスの機能 12
 1.2 主要パワーデバイスとその特性概要 13
 1.3 パワーデバイスのタイプ別容量と周波数 14
 1.4 パワーエレクトロニクス機器とパワーデバイスの適用範囲 15
2. SICパワーデバイス
 2.1 IGBTの高性能化推移とその限界 16
 2.2 SiCパワーデバイスの特長 17
 2.3 SiCパワーデバイスに対する要求とその課題 19
 2.4パワーモジュールのSiC化による効果
  2.4.1 パワーモジュールの用途別要求技術 20
  2.4.2 SiC化によるパワーエレクトロニクスの効率向上見込み 21
3. パワーモジュール組立技術
 3.1 パッケージの基本機能と要求特性 22
 3.2 モジュールのタイプ別比較 23
 3.3 SiCパワーデバイスのモジュール技術 24
 3.4 パワーモジュールの要素技術
  3.4.1 Alワイヤ接続と代替技術 27
  3.4.2 ハンダ接合と代替技術 28
  3.4.3 プレアプライドTIM技術 29
4. SiCモジュールの製品化・採用動向
 4.1 SiCパワーモジュール 30
 4.2 アプリケーションの採用/開発動向 31
5. パワーモジュール企業の参入状況
 5.1 IGBTモジュール企業の参入動向 33
 5.2 SiCパワーモジュール企業の参入状況 34
6. パワーモジュールの市場動向
 6.1 2014年の市場規模とタイプ別内訳 36
 6.2 主要企業の販売動向
  6.2.1 モジュール容量別 40
  6.2.2 アプリケーション別 43
  6.2.3 パッケージ方式別 47
 6.3 市場規模推移予測
  6.3.1 全体市場 49
  6.3.2 SiC/Siベース別市場 55
  6.3.3 SiCモジュール市場 57

第3章 パワーモジュール主要組立部材の概要

1. 封止材
 1.1 パワーデバイス用封止材に対する一般要求特性 64
 1.2 シリコーンとエポキシ封止材の比較 65
 1.3 シリコーンゲルと硬質樹脂封止材のモジュール別採用状況 67
 1.4 封止材企業のタイプ別参入状況 68
2. 接合材
 2.1 パワーモジュールの接合部別接合技術 69
 2.2 接合材のタイプ別比較 70
 2.3 材料別接合材の溶融温度 71
 2.4 Agナノ・Agシンターペースト
  2.4.1 製品概要 72
  2.4.2 主要参入企業と各社の製品 73
3. パワーモジュール用セラミックス基板
 3.1 製品概要
  3.1.1 セラミックスの材料別概要 74
  3.1.2 メタライズ方式別概要 75
 3.2 業界概要
  3.2.1 工程別参入状況 76
  3.2.2 基板タイプ別参入状況 77
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