本文へ移動

パワーモジュールと主要構成部材の技術・市場動向2017

パワーモジュールと主要構成部材の技術・市場動向 2017

発刊日
2017年9月30日発刊
価格
レポートのみ:\250,000-(税別)
レポート+CD:\270,000-(税別)
体裁
A4×226頁
略称
パワーモジュール2017
備考
CDはレポートの内容をPDF化したものです。

調査のポイント

◆IGBTパワーモジュール/SiCパワーモジュールの市場トレンド
   - SiC・Siベース別, 応用分野別, モジュール容量別, PKG技術別
◆主要モジュールメーカの製品動向
   - VA・回路数別、IPM別、DIP/SIP-IPMのPKG材料別、SiCフル/ハイブリッド別
◆高信頼性を実現する新規パッケージと構成部材の最新技術動向
◆シンター(Ag, Cu, Ni等)接合材の市場と参入企業の動向
◇調査対象
   パワーモジュール: IGBTモジュール(SiCモジュール含む)
   構成部材: セラミックス基板(AlN/Si3N4/Al2O3),シンター接合材,

目次

第1章 総論

1. パワーモジュールの市場概観 2
2. SiCパワーモジュールの市場概観 5
3. パワーモジュールの技術動向概観 10
4. モジュール企業の容量別参入市場と統合等の動き 11
5. 主要パワーモジュール企業の動向分析 12
6. パワーデバイス用セラミックス基板の市場概観 13
7. シンター接合材の市場概観 14
 

第2章 パワーモジュールの動向

1. パワーデバイスの基本概要
 1.1 パワーデバイスの機能 17
 1.2 主要パワーデバイスとその特性概要 18
 1.3 パワーデバイスのタイプ別容量と周波数 20
 1.4 パワーエレクトロニクス機器とパワーデバイスの適用範囲 21
 1.5 SiC/GaNパワーデバイス 22
  1.5.1 SiC/GaNの特長とパワーデバイス適用によるメリット
  1.5.2 SiCデバイスの高耐圧化ロードマップ
 
2. パワー半導体/チップの開発動向
 2.1 次世代IGBTチップ 24
 2.2 RC-IGBTチップ 25
 2.3 トレンチ型SiC-MOSFET 26
 
3. パワーモジュールの基本タイプ
 3.1 IGBTモジュールの容量と内部回路 27
  3.1.1 IGBTモジュールの定格値及び内部回路
  3.1.2 IGBTモジュールの容量・回路別ラインナップ
 3.2 パワー容量別対応モジュール 29
  3.2.1 モジュールタイプ別対応パワー容量のグラフ
  3.2.2 パワーモジュールのタイプと対応スペック
 3.3 次世代大容量パワーモジュール2in1パッケージ 35
 
4. パワーモジュールのパッケージ技術
 4.1 パッケージの基本的な機能と要求特性 37
 4.2 パワーモジュールの代表的な構造 38
 4.3 パワーモジュールの信頼性と接合部 39
 4.4 ボンディングワイヤ接続の代替技術 40
  4.4.1 ボンディングワイヤを代替する部材接続
  4.4.2 FPCを使った内部接続モジュール
 4.5 ハンダ接合の代替手法 42
 4.6 Agシンター材による接合 43
 4.7 ベース板一体型基板のパッケージ技術 44
 4.8 大手モジュール企業の高信頼性パッケージ技術の取り組み一覧 45
 
5. パワーモジュール企業の参入状況
 5.1 IGBTモジュール企業の参入状況一覧 46
 5.2 IGBTモジュール容量・回路別参入の企業別状況 47
 5.3 IPM容量・回路別参入の企業別状況 57
  5.3.1 IGBT-IPM企業
  5.3.2 DIP/SIP系IPM企業
 5.4 SiCモジュール参入企業の状況一覧 62
 5.5 SiCモジュール容量・回路別参入の企業別状況 63
  5.5.1 参入7社集計によるSiCモジュールの製品化状況
  5.5.2 参入企業別状況
 
5.2, 5.3, 5.5 の対象企業リスト
三菱電機、Infineon、富士電機、Semikron、日立パワーデバイス、ABB、
Microsemi、Vishay、IXYS、京セラ、STM、オン・セミコンダクタ、Fairchild、
サンケン電気、Wolfspeed、ローム
 
6. パワーモジュールの市場動向
 6.1 2016年の市場規模と各種内訳 72
 6.2 主要企業の動向(2016年) 78
  6.2.1 総数・総量
  6.2.2 モジュール容量別
  6.2.3 アプリケーション別
  6.2.4 パッケージ方式別
  6.2.5 モジュール容量×アプリケーション
  6.2.6 モジュール容量×PKG方式 6.2.7 PKG方式×アプリケーション
 6.3 市場規模推移予測 <6.2と同様の切り口> 100
 
7. SiCパワーモジュールの市場動向
 7.1 2016年の市場規模と各種内訳 122
 7.2 主要企業の動向(2016年) <6.2と同様の切り口> 128
 7.3 市場規模推移予測
  7.3.1 SiCとSiベース別全体市場 138
  7.3.2 SiCベース市場 <6.2と同様の切り口> 154

第3章 主要構成部材の動向

Ⅰ. パワーデバイス用セラミックス基板
1. 製品概要
 1.1 セラミックス基板材料 168
 1.2 メタライズ方式 169
 
2. 業界動向
 2.1 パワーデバイス用セラミックス基板の参入状況 170
 2.2 メタライズ基板の参入状況 171
 
3. 主要企業販売実積
 3.1 金額ベース(2016年) 172
 3.2 数量ベース(2016年) 173
 
4. 市場動向(現状と予測)
 4.1 セラミックス基板の応用分野別市場規模(2016) 177
 4.2 セラミックス基板の市場規模予測
  4.2.1 基板材料別 179
  4.2.2 応用分野別 187
 
第3章 Ⅰ.の対象企業リスト
電気化学工業、東芝マテリアル、DOWAメタルテック、三菱マテリアル、京セラ、日立金属、NGK、 Rogers、KCC
 
Ⅱ. パワーデバイス用シリコーン封止材
1. シンター接合材の技術概要
 1.1 シンター接合材の需要背景 195
 1.2 パワーデバイス用シンター接合材の概要 197
 
2. シンター接合材の参入企業と製品
 2.1 参入企業一覧 205
 2.2 主要各社の材料スペック 206
 
3. シンター接合材の市場動向
 3.1 2016年の市場と主要企業の動向 208
 3.2 市場規模推移予測 214
 
第3章 Ⅱ.の対象企業リスト
Alent、Henkel、Heraeus、京セラ、協立化学工業、住友ベークライト、千住金属工業、田中貴金属工業、DIC、DOWAエレクトロニクス、ナミックス、日本ハンダ、日本スペリア、ハリマ化成、日立化成、三井金属鉱業、三菱マテリアル、他

第4章 応用分野の動向

1. HEV/EV
 1.1 CO2排気規制強化の動向 217
 1.2 国別自動車販売規模とエンジン車規制強化の動き 218
 1.3 ZEV規制 219
 1.4 自動車メーカの電動化の動きと計画 221
 1.5 xEVのメーカ別販売台数と市場シェア 222
 1.6 xEV市場規模推移予測 223
 
2. 参考資料
 2.1 風力発電設置容量規模推移 225
 2.2 太陽光発電設置容量規模推移 226
TOPへ戻る