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JMSセミナー:パワーモジュールの実装・組立技術

パワーモジュールの実装・組立技術

2021-12-09 ★Webセミナーにて開催します★
 
 パワーモジュールの実装・組立技術について、講師の方々に詳細に解説して頂きます。
 
主 催 ㈱ジャパンマーケティングサーベイ
日 時 2021年12月9日(木) 9:55~16:40(予定)
★Webセミナー(Zoomウェビナーを利用)として開催いたします。
聴講料 1名様 59,400円(税込) (テキストを含む・事前に送付いたします)
定 員 50名
講演テーマ(仮題)/講師
 
10:00~11:25 
「パワーデバイスの開発動向」 
筑波大学 数理物質系 教授(物理工学域) 博士(工学)
岩室 憲幸 氏 

11:35~12:35
「パワーモジュール向けセラミック基板の開発動向」 
三菱マテリアル株式会社 高機能製品C 電子材料事業部 電子製品部 生産革新室長
大井 宗太郎 氏

12:35~13:15 休憩時間

13:15~15:05
「パワーデバイス向け低温焼結性銅ナノ粒子の開発動向」 
東北大学 多元物質科学研究所 教授 博士(工学)
蟹江 澄志 氏

15:15~16:40
「高熱伝導コンポジット材料の開発動向」 
富山県立大学 工学部 機械システム工学科 教授
真田 和昭 氏

※各講演時間に5分程度の質疑応答を含みます。
 
   セミナーを申し込む ※お申込みの詳細は、プログラムの下部をご参照ください。
 
 
◆講演内容◆ 随時更新します。
 
1.パワーデバイスの開発動向
筑波大学 岩室 憲幸 氏
 1.パワーエレクトロニクス、パワーデバイスとは
  1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事 
  1-2 パワーデバイスの世界市場 
  1-3 パワー半導体の種類と基本構造 
  1-4 パワーデバイスの適用分野 
 2.最新シリコンIGBTの現状 
  2-1 IGBT特性改善を支える技術 
  2-2 最先端IGBTの開発 
  2-3 逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発 
  2-4 進展するIGBTの大口径化 
  2-5 IGBT最新実装技術 
 3.最新SiC-MOSFET の 現状と課題 
  3-1 SiCのSiに対する利点 
  3-2 SiC-MOSFETの解決すべき課題 
  3-3 ゲート酸化膜の形成方法 
  3-4 SiC-MOSFETの技術の進展(微細化) 
  3-5 最新SiCトレンチMOSFET 
  3-6 内蔵ダイオード信頼性対策技術 
 4.GaNパワーデバイスの現状と課題 
  4-1 GaNデバイスの構造 
  4-2 GaN-HEMTデバイスの特徴 
  4-3 GaN-HEMTのノーマリーオフ化 
  4-4 GaN-HEMTの課題 
  4-5 縦型GaNデバイスの最新動向 
 5.高温対応実装技術 
  5-1 高温動作ができると何がいいのか 
  5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ 
 6.まとめ

2.パワーモジュール向けセラミック基板の開発動向
三菱マテリアル株式会社 大井 宗太郎 氏



3.パワーデバイス向け低温焼結性銅ナノ粒子の開発動向
東北大学 蟹江 澄志 氏
 本講義では、まず、如何にすれば機能性無機ナノ粒子をサイズ・形態制御しつつ
精密に合成できるか、その方法やコツを理解していただきます。ついで、その具体的な
手法について紹介することで、無機ナノ粒子の液相合成法や解析法を学んでいただきます。
さらに無機ナノ粒子の液相合成法を、低温焼結性を有する銅ナノ粒子の合成法へ適用した
例について紹介します。得られた銅ナノインクは、配線材料およびダイアタッチ材料と
して優れた性質を示します。一方で、無機ナノインクの現在までの進展を紹介することで、
常圧でのデバイス製造に向けたナノインクの実力および可能性について学んでいただきます。


4.高熱伝導コンポジット材料の開発動向
富山県立大学 真田 和昭 氏


◆申し込み要項◆
□申し込み方法 
 弊社ホームページ及び講演会パンフレットの申込書に所定事項をご記入の上、弊社宛てに送信もしくはFAXお願い致します。
 申し込み書受領後、請求書を郵送致します。またWebセミナーの視聴方法について詳細をご案内いたします。
□お支払い
 請求書に記載されている弊社指定口座に、請求日の1ヶ月以内にお振込みをお願い申し上げます。
□キャンセル
 開催日の11日前まで:無料にてキャンセルする事が出来ます。
 開催日の10日以内のキャンセルにつきましては、全額申し受けさせて頂きます。
□特記事項
 講演会は受講者数が規定に達しない場合中止する場合があります。
 尚、請求書は開催が決定した場合のみ送付いたします。
 写真撮影、録音、録画を禁止いたします。
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