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セミナーのご案内 《他社主催セミナー》

【Live配信】酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向
2021-08-23
主 催  サイエンス&テクノロジー株式会社
日 時  2021年8月23日(月) 11:00~16:00

講 師  第1部 「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」
      (11:00~14:50)  ※12:30~13:20は昼食休憩  
     (国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター 
     グリーンICTデバイス研究室 室長 東脇 正高 氏 

     第2部 「ノベルクリスタルテクノロジー社における開発の現状と今後」
      (15:00~16:00) 
     (株)ノベルクリスタルテクノロジー 取締役 CTO 佐々木 公平 氏
 
聴講料  1名につき49,500円(税込、資料付き)
 
【2名同時申し込みで1名分無料】
※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
 1名申込みの場合:受講料 35,200円(税込)
 
【ZOOMによるLive配信】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
・お申し込み後、接続確認用URL(https://zoom.us/test)にアクセスして接続できるか等
 ご確認下さい。
・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
・開催日時にリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
 
受講の詳細および請求書等は、サイエンス&テクノロジー株式会社よりご案内します。
◆受講料は、銀行振込(開催日まで)、もしくは当日現金にてお支払い下さい。
◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。
 キャンセルの場合は、サイエンス&テクノロジー株式会社の規定が適用されます。
 
 ◆セミナー講演内容◆ 
第1部 「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」 
【講演趣旨】
  酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC、GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。 
 本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。  
 
【プログラム】 
 1.はじめに  
  1.1 Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)  
  1.2 将来的なGa2O3デバイスの用途 
 2.Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術  
  2.1 MBE成長  
  2.2 HVPE成長  
  2.3 MOCVD成長 
 3.Ga2O3トランジスタ開発  
  3.1 横型フィールドプレートMOSFET  
  3.2 横型ノーマリーオフMOSFET  
  3.3 横型高周波MOSFET  
  3.4 縦型MOSFET  
  3.5 海外機関のGa2O3トランジスタ開発動向 
 4.Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発  
  4.1 HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD  
  4.2 縦型フィールドプレートSBD   
  4.3 海外機関のGa2O3ダイオード開発動向  
 5.まとめ、今後の課題  
 □ 質疑応答 □ 

第2部 「ノベルクリスタルテクノロジー社における開発の現状と今後」 
【講演趣旨】 
 酸化ガリウム(β-Ga2O3)は、その大きな絶縁破壊電界強度と、高品質な単結晶基板を安価に製造できるという特徴から、次世代のパワーデバイス材料として注目が集まっている。本講演では、当社が開発を進めるβ-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長、ショットキーバリアダイオード、トランジスタの最新状況を紹介する。 

【プログラム】 
 1.ノベルクリスタルテクノロジーについて 
 2.β-Ga2O3パワーデバイスの魅力 
 3.単結晶基板、エピタキシャル成長技術  
  3.1 4インチ単結晶基板  
  3.2 4インチエピタキシャルウェハ  
 4.パワーデバイス応用  
  4.1 ショットキーバリアダイオード  
  4.2 トランジスタ 
 5.まとめ 
 □ 質疑応答 □
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