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セミナーのご案内 《他社主催セミナー》

リソグラフィの基礎、半導体製造におけるレジスト材料技術と今後の展望
2020-02-27
主 催  サイエンス&テクノロジー株式会社
日 時  2020年2月27日(木) 10:30~16:30
会 場  東京・港区芝公園 機械振興会館 地下3F B3-6会議室
聴講料  1名につき49,500円(税込、昼食・資料付き)
 
     【2名同時申し込みで1名分無料】
     ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
     ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 
講 師  大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 
     遠藤 政孝 氏【元・パナソニック(株)】
    
  ◆受講証及び請求書は、サイエンス&テクノロジー株式会社よりお送りします。
  ◆受講料は、銀行振込(開催日まで)、もしくは当日現金にてお支払い下さい。
  ◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。
   キャンセルの場合は、サイエンス&テクノロジー株式会社の規定が適用されます。
 
 
◆セミナー趣旨◆
 メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードも近づいている。本講演では、半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎・最新技術、および、レジスト材料の基礎と、最新のロードマップに基づいたレジスト材料の要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめる。
 
◆講演内容◆
 
<得られる知識、技術>
 リソグラフィの基礎知識・最新技術、レジスト材料の基礎知識、レジスト材料の要求特性、レジスト材料の課題と対策、レジスト材料の最新技術・ビジネス動向が得られます。
 
<プログラム>
1.リソグラフィの基礎
 1.1 露光
  1.1.1 コンタクト露光
  1.1.2 ステップ&リピート露光
  1.1.3 スキャン露光
 1.2 照明方法
  1.2.1 斜入射(輪帯)照明
 1.3 マスク
  1.3.1 位相シフトマスク
  1.3.2 光近接効果補正(OPC)
  1.3.3 マスクエラーファクター(MEF)
 1.4 レジストプロセス
  1.4.1 反射防止プロセス
  1.4.2 ハードマスクプロセス
  1.4.3 化学機械研磨(CMP)技術
 1.5 ロードマップ
  1.5.1 IRDSロードマップ
  1.5.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
2.レジスト材料の基礎
 2.1 溶解阻害型レジスト
  2.1.1 g線レジスト
  2.1.2 i線レジスト
 2.2 化学増幅型レジスト
  2.2.1 KrFレジスト
  2.2.2 ArFレジスト
  2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
3.レジスト材料の展開
 3.1 液浸リソグラフィ
 3.2 ダブル/マルチパターニング
  3.2.1 リソーエッチ(LE)プロセス
  3.2.2 セルフアラインド(SA)プロセス
 3.3 EUVリソグラフィ
  3.3.1 EUVレジストの設計指針
  3.3.2 EUVレジストの課題と対策
   3.3.2.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
   3.3.2.2 ランダム欠陥(Stochastic Effects)
  3.3.3 最新のEUVレジスト
   3.3.3.1 分子レジスト
   3.3.3.2 ネガレジスト
   3.3.3.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
   3.3.3.4 無機/メタルレジスト
 3.4 自己組織化(DSA)リソグラフィ
  3.4.1 グラフォエピタキシー
  3.4.2 ケミカルエピタキシー
  3.4.3 高χ(カイ)ブロックコポリマー
 3.5 ナノインプリントリソグラフィ
  3.5.1 加圧方式
  3.5.2 光硬化式
4.レジスト材料の技術展望、市場動向
 
  □質疑応答・名刺交換□

 
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