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セミナーのご案内 《他社主催セミナー》

徹底解説 パワーデバイス
2020-01-30
主 催  サイエンス&テクノロジー株式会社
日 時  2020年1月30日(木) 10:30~16:30
会 場  東京・大田区蒲田 大田区産業プラザ(PiO) 6F C会議室
聴講料  1名につき49,500円(税込、昼食・資料付き)
     【2名同時申し込みで1名分無料】
     ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
     ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 
講 師  千葉工業大学 工学部 教授 
     山本 秀和 氏
      【専門】半導体デバイス、半導体結晶   
    
  ◆受講証及び請求書は、サイエンス&テクノロジー株式会社よりお送りします。
  ◆受講料は、銀行振込(開催日まで)、もしくは当日現金にてお支払い下さい。
  ◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。
   キャンセルの場合は、サイエンス&テクノロジー株式会社の規定が適用されます。
 
 
◆セミナー趣旨◆
 パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。
 しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
 
◆講演内容◆
 
1.パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造 
 1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
 1.2 パワーデバイスの用途と産業構造  
2.パワーデバイスの構造と高性能化                    
 2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
 2.2 Siパワーデバイスの高性能化
 2.3 ワイドギャップ半導体の優位性
3.Siパワーデバイスの課題    
 3.1 Siウエハの300mm化
 3.2 微量不純物の制御 
4.SiCパワーデバイスの課題
 4.1 SiC結晶およびパワーチップ製造の課題 
 4.2 パワーモジュールの高温化
5.GaNパワーデバイスの課題
 5.1 横型GaNパワーデバイスの課題
 5.2 縦型GaNパワーデバイスの課題
6.Ga2O3パワーデバイスの課題 
 6.1 α- Ga2O3パワーデバイスの課題
 6.2 β- Ga2O3パワーデバイスの課題
7.パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位  
 7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
 7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業
 
 □質疑応答・名刺交換□

 
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