JMSセミナー：先端半導体パッケージにおけるキーテクノロジー
2026-10-28 ★Webセミナーにて開催いたします★
先端半導体パッケージの概要、技術動向とキーテクノロジー（特に先端パッケージにおけるTSVへの無電解めっき技術、低温接合技術）について詳細に解説して頂くことによって、関連業界の方々の今後の事業に役立てていただくことを目的とします。
主 催 株式会社ジャパンマーケティングサーベイ
日 時 2026年10月28日 （水） 9：55～16：30
★Webセミナー（Zoomウェビナーによるライブ配信）として開催いたします。会場での受講はありません。
聴講料 1名様 59,400円（税込） テキスト*を含む （*製本版テキスト・開催1週間前頃に郵送します）
定 員 ５０名
講演テーマ／講師／タイムテーブル（予定）
10：00～12：00 「AI・チップレット時代のアドバンスト半導体パッケージの概要と最新技術動向」
大阪大学 産業科学研究所 フレキシブル3D（F3D）実装協働研究所 特任研究員 吉田 浩芳 氏
12：50～14：20 「3次元半導体実装におけるTSVへの無電解めっき技術」
関西大学名誉教授 先端科学技術推進機構 研究員 ナノめっき研究所代表 新宮原 正三 氏
14：30～16：30 「先端半導体デバイス製造に用いられる低温接合技術」
東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 教授 日暮 栄治 氏
※各講演時間に質疑応答（5～10分程度）を設けます。
◆講演内容
1. AI・チップレット時代のアドバンスト半導体パッケージの概要と最新技術動向
大阪大学 特任研究員 吉田 浩芳 氏
AI時代を支えるアドバンスト半導体パッケージについて、その必要性や技術動向を概説する。2.5D/3D実装、
チップレット、HBMなどの最新技術を紹介するとともに、TSV、接合技術、微細配線などのキーテクノロジーと
今後の展望について解説する。
2. 3次元半導体実装におけるTSVへの無電解めっき技術
関西大学名誉教授 新宮原 正三 氏
3次元実装TSV技術においては、Cuの拡散バリアメタルとしてスパッタ技術が使用されてきた。しかし
TSVの微細化、高アスペクト比化の進展により、スパッタ技術では対応するのが困難となってきた。
我々は無電解バリアメタル技術としてCo合金系を開発してきた。本講演では、貴金属触媒処理と無電解めっき
Co合金バリアメタル、を合わせた技術について詳細に解説する。
3. 先端半導体デバイス製造に用いられる低温接合技術
東北大学 教授 日暮 栄治 氏
次世代の先端半導体デバイスを実現する上で、異種材料や異種機能を集積する「ヘテロジニアス集積技術」が
極めて重要な役割を担うとして注目を集めています。そして、この集積化を支える中核技術こそが「接合技術」です。
AI技術の急速な進展を背景に、先端半導体はパッケージング技術によって進化（高性能化・低消費電力化）を
牽引するパラダイムシフトが起きており、ハイブリッドボンディングなどの開発が活発化しています。一方で、
こうしたヘテロジニアス集積に向けた接合技術においては、「接合プロセスの低温化」が乗り越えるべき大きな
課題の一つとなっています。そこで本講演では、『低温接合技術』に焦点を当てます。同技術の基礎メカニズムを
解説するとともに、具体的なデバイスの応用例を交えながら、最新の開発動向と今後の展望について詳説いたします。
◆申し込み要項◆
□申し込み方法
弊社ウェブサイトのセミナー申込ページ、または講演会パンフレットの申込書に所定事項をご記入の上、
弊社宛てに送信もしくはFAXお願い致します。
申し込み書受領後、請求書をお送りします。（メール送信または郵送）
またWebセミナーの視聴方法について詳細をご案内いたします。
□お支払い
請求書に記載されている弊社指定口座に、請求日の1ヶ月以内にお振込みをお願い申し上げます。
□キャンセル
開催日の11日前まで:無料にてキャンセルする事が出来ます。
開催日の10日以内のキャンセルにつきましては、全額申し受けさせて頂きます。
□特記事項
講演会は受講者数が規定に達しない場合中止する場合があります。
尚、請求書は開催が決定した場合のみ送付いたします。
写真撮影、録音、録画を禁止いたします。
