SiCパワー半導体とウェハの最新開発動向
2024-02-26 ★Webセミナーにて開催いたします★
SiCパワー半導体とウェハの概要から先端分野での応用開発動向について、詳細に解説して頂くことによって、
関連業界の方々の今後の事業に役立てていただくことを目的とします。
主 催 株式会社ジャパンマーケティングサーベイ
日 時 2024年2月26日 （月） 9：55～16：00
★Webセミナー（Zoomウェビナーによるライブ配信）として開催いたします。
会場での受講はありません。
聴講料 1名様 49,500円（税込） テキストを含む
定 員 ５０名
◆講演内容
「SiCパワー半導体とウェハの最新開発動向」
関西学院大学 大谷 昇 氏
【10:00〜12:00】 SiCパワー半導体開発の現状
1. SiCパワー半導体開発の背景
1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
2. SiCパワー半導体開発の歴史
2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
3.1. SiCパワー半導体の市場
3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
4.1. SiC単結晶とは？
4.2. SiC単結晶の物性と特長
4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用
5. SiCパワーデバイスの最近の進展
5.1. SiCパワーデバイスの特長
5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用
【12:00〜13:00】 休憩
【13:00〜14:30】 SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
6. SiC単結晶のバルク結晶成長
6.1. SiC単結晶成長の熱力学
6.2. 昇華再結晶法
6.3. 溶液成長法
6.4. 高温CVD法（ガス法）
6.5. その他成長法
7. SiC単結晶ウェハの加工技術
7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
7.2. SiC単結晶の切断技術
7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
【14:30〜14:40】 休憩
【14:40〜16:00】 SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
9. SiC単結晶のポリタイプ制御
9.1. SiC単結晶のポリタイプ現象
9.2. 各種ポリタイプの特性
9.3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
10. SiC単結晶中の拡張欠陥
10.1. 各種拡張欠陥の分類
10.2. 拡張欠陥の評価法
11. SiC単結晶のウェハ加工
11.1. ウェハ加工の技術課題
11.2. ウェハ加工技術の現状
12. SiCエピタキシャル薄膜成長
12.1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
12.2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状
13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
13.1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
13.2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
14. SiC単結晶ウェハの高品質化
14.1. マイクロパイプ欠陥の低減
14.2. 貫通転位の低減
14.3. 基底面転位の低減
15. まとめ
◆申し込み要項◆
□申し込み方法
弊社ホームページ及び講演会パンフレットの申込書に所定事項をご記入の上、弊社宛てに送信もしくはFAXお願い致します。
申し込み書受領後、請求書を郵送致します。またWebセミナーの視聴方法について詳細をご案内いたします。
□お支払い
請求書に記載されている弊社指定口座に、請求日の1ヶ月以内にお振込みをお願い申し上げます。
□キャンセル
開催日の11日前まで:無料にてキャンセルする事が出来ます。
開催日の10日以内のキャンセルにつきましては、全額申し受けさせて頂きます。
□特記事項
講演会は受講者数が規定に達しない場合中止する場合があります。
尚、請求書は開催が決定した場合のみ送付いたします。
写真撮影、録音、録画を禁止いたします。
