半導体分野の調査レポート＆セミナー
ウェットエッチングの基礎と形状コントロール及びトラブル対策とノウハウ【LIVE配信】
2026-10-14
カテゴリ：プリント基板，半導体
主 催 株式会社R＆D支援センター
日 時 2026年10月14日（水） 13:00～16:30
※本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
聴講料 1名につき 49,500円（税込、資料付き）
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
講 師 アドヒージョン（株） 代表取締役社長 博士（工学） 河合 晃 氏
国立大学法人 長岡技術科学大学 名誉教授
◆受講の詳細や請求書等は、株式会社R＆D支援センターよりご案内します。
◆受講料は、銀行振込にて、原則として開催日までにお支払い下さい。
◆お申し込み後はキャンセルできません。ご都合が悪くなった場合は代理の方がご出席ください。
◆受講対象・レベル
ウェットエッチング業務に携わる方、ならびに電子デバイス、プリント基板、薬剤、装置関連企業の技術者の方々
◆必要な予備知識
化学・物理の基礎知識
◆習得できる知識
・ウェットエッチングの基礎メカニズム
・コントロール要因
・形状制御技術
◆趣旨
ウェットエッチングは工業的にも歴史が古く、半導体デバイス、高周波プリント基板、液晶デバイスなど、さまざまな先端分野において主力の加工技術となっています。ウェットエッチングは量産性、コスト性、設備の簡易さに優れているほか、エッチングと同時にウェット洗浄を行える特長を有しています。近年では、ウェットエッチングによるアンダーカット形状の高精度化が求められています。本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、高精度化やトラブル対策について解説します。さらに、表面エネルギー解析や応力・歪み解析による界面設計についても取り上げます。日頃の技術開発やトラブル相談にも個別に対応いたします。
◆プログラム
１．ウェットエッチングの基礎
1-1 加工技術としての位置づけ
1-1-1 産業応用
1-1-2 設計値とシフト量
1-2 基本プロセスフロー
1-2-1 前処理
1-2-2 マスク作製
1-2-3 エッチング
1-2-4 マスク除去
1-3 プロセス支配要因
1-3-1 濡れ
1-3-2 律速
1-3-3 反応速度
1-3-4 エッチング機構
1-4 等方性エッチング
1-4-1 アンダーカット
1-5 結晶異方性エッチング
1-5-1 結晶方位依存性
1-6 エッチングマスク
1-6-1 レジスト
1-6-2 無機膜
1-7 処理装置
1-7-1 液循環
1-7-2 ディップ
1-7-3 シャワー
1-7-4 スピンエッチ
1-7-5 フィルタリング
1-8 環境対策
1-8-1 廃液処理
1-8-2 排ガス・ミスト処理
２．アンダーカット形状の最適化
2-1 支配要因
2-1-1 界面濡れ性
2-2-2 応力集中
2-2-3 液循環
2-2-4 マスク耐性
2-2 形状コントロール
2-2-1 エッチングラインの高精度化
2-3 高精度形状計測
2-3-1 断面SEM
2-3-2 定在波法
2-3-3 光干渉法
2-3-4 X線CT
３．トラブル要因と解決方法（最短の解決のために）
3-1 マスクパターンの剥離メカニズム
3-1-1 付着・ぬれエネルギーWa（ドライ中）
3-1-2 拡張・浸透エネルギーS（ウェット中）
3-1-3 円モデル
3-2 エッチング液の濡れ不良
3-3 エッチング開始点の遅れ
3-4 ホールパターンの気泡詰まり
3-5 エッチング表面の荒れ
3-6 金属汚染
3-7 レジスト除去
3-7-1 ウェット方式
3-7-2 ドライ方式
3-7-3 物理除去
3.8 再付着防止
3-8-1 DLVO理論
3-8-2 ゼータ電位
3.9 乾燥痕
3-9-1 ﾏﾗﾝｺﾞﾆｰ対流
3-9-2 IPA蒸気乾燥
４．質疑応答
（日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます）
参考資料
・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）
