半導体分野の調査レポート＆セミナー
【Live配信】次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～
2026-08-26
カテゴリ：半導体
主 催 サイエンス＆テクノロジー株式会社
日 時 2026年8月26日（水） 13:00～16:30
特 典 見逃し配信付 【視聴期間】［8/27～9/2中］を予定
講 師 グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 氏
専門 : 半導体デバイス、半導体結晶
経歴：元 千葉工業大学教授 元 三菱電機パワーデバイス開発部長
聴講料 49,500円（税込、資料付き）
◆受講の詳細および請求書等は、サイエンス＆テクノロジー株式会社よりご案内します。
◆受講料は、銀行振込（開催日まで）にてお支払い下さい。
◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。
キャンセルの場合は、サイエンス＆テクノロジー株式会社の規定が適用されます。
◆受講料は、銀行振込（開催日まで）にてお支払い下さい。
◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。
キャンセルの場合は、サイエンス＆テクノロジー株式会社の規定が適用されます。
【セミナー趣旨】
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、本格的な量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、Siを含めて日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望について、分かりやすく解説します。日本のパワーデバイスメーカでは、パワーデバイスの復活をかけた再編が開始されつつあります。この取り組みについても、見解を述べます。
【セミナー講演内容】
１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
1.1 パワーエレクトロニクスの重要性
1.2 パワーデバイスの用途と産業構造
２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
2.2 Siパワーデバイスの高性能化
３．SiCパワーデバイスの優位性と課題
3.1 SiCパワーデバイスの優位性
3.2 SiCパワーデバイスの課題
４．GaNパワーデバイスの優位性と課題
4.1 GaNパワーデバイスの優位性
4.2 GaNパワーデバイスの課題
５．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
5.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性
5.2 Ga2O3パワーデバイスの課題
６．パワーデバイスの将来展望
6.1 パワーデバイス業界の動向
6.2 復活をかけた日本のパワーデバイス業界の再編
□質疑応答□
