半導体分野の調査レポート＆セミナー
EUVレジスト・リソグラフィの基礎とプロセス最適化・最新開発動向【LIVE配信】
2026-07-13
カテゴリ：半導体，先端材料
主 催 株式会社R＆D支援センター
日 時 2026年07月13日（月） 13:00～17:00
※本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
聴講料 1名につき 49,500円（税込、資料付き）
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
講 師 （国研）量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所
プロジェクトリーダー（上席研究員） 博士（工学） 山本 洋揮 氏
【ご専門】 ビーム応用、微細加工（レジスト）、EUVリソグラフィ、高分子、放射線化学
◆受講の詳細や請求書等は、株式会社R＆D支援センターよりご案内します。
◆受講料は、銀行振込にて、原則として開催日までにお支払い下さい。
◆お申し込み後はキャンセルできません。ご都合が悪くなった場合は代理の方がご出席ください。
◆受講対象・レベル
本テーマに関心のあるレジスト会社をはじめ、電機メーカーや大手化学会社や素材メーカーの方、本テーマに携わっている
若手・中堅技術者、および新人の方
◆必要な予備知識
・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。
◆習得できる知識
・EUVリソグラフィについて
・レジスト材料開発
・メタルレジストについて
・ブロック共重合体による自己組織化リソグラフィについて
・次世代リソグラフィの技術動向
◆趣旨
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。
半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において極めて重要である。
今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NA EUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が
注目されている。
本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、EUVレジスト・リソグラフィの基礎とプロセス最適化・最新
開発動向、他のリソグラフィ技術と比較した際の優位点をはじめ、実用化・普及の可能性、その微細加工材料などに
関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。
◆プログラム
１．はじめに
1.1 リソグラフィ技術の変遷
1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
1.4 次世代リソグラフィ技術の動向
２．EBリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
2.1 電子ビームリソグラフィの位置づけ
2.2 電子ビームの散乱と阻止能
2.3 電子線レジスト
2.3.1 電子線レジストの種類
2.3.2 化学増幅型レジストの酸発生機構
2.3.3 ラインエッジラフネス（LER）の原因の解明
2.3.4 反応機構に基づいたEBリソグラフィ用単一成分化学増幅型レジスト
３．EUVリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
3.1 EUVリソグラフィの基礎
3.2 EUVリソグラフィの現状と課題
3.3 EUVレジスト
3.3.1 EUVレジストの種類
3.3.2 EUVリソグラフィ用レジスト材料の要求特性
3.3.3 EUV化学増幅型レジストの反応機構とEBレジスト設計指針との違い
3.3.4 EUV化学増幅型レジストの問題点
3.4 EUVメタルレジスト開発
3.4.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
3.4.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた 有機無機ハイブリッドパターン形成
3.4.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
3.4.4 メタルレジスト材料の性能評価
3.4.5 セラミックスレジストの性能評価
3.5 次世代EUVリソグラフィ（High-NA、Hyper NA,EUV-FEL、Beyond EUV）の技術動向と今後の展望
４．ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向
4.1 ブロック共重合体の基礎
4.2 電子線誘起反応によるブロック共重合体のラメラ配向制御
4.3 新規ブロック共重合体の合成と評価
５．おわりに
【質疑応答】
