半導体分野の調査レポート＆セミナー
フォトレジスト材料の基礎と評価プロセスおよび市場展開アプリケーション【LIVE配信】
2026-06-24
カテゴリ：半導体
主 催 株式会社R＆D支援センター
日 時 2026年06月24日（水） 13:00～17:00
※本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
聴講料 1名につき 49,500円（税込、資料付き）
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
講 師 東北大学 マイクロシステム融合研究会（ μSIC） 講師 山田 達也 氏
◆受講の詳細や請求書等は、株式会社R＆D支援センターよりご案内します。
◆受講料は、銀行振込にて、原則として開催日までにお支払い下さい。
◆お申し込み後はキャンセルできません。ご都合が悪くなった場合は代理の方がご出席ください。
◆習得できる知識
フォトリソグラフィプロセス
フォトリソグラフィ加工用装置
フォトレジスト区分と適用される原料構造
フォトレジストに求められる要求特性
フォトレジスト用原料の構造設計
フォトレジストの光化学反応とフォーミュレーション
フォトレジスト評価方法
フォトリソグラフィが適用されるアプリケーション
フォトレジストトラブルシューティング
これから求められるフォトレジスト
◆趣旨
半導体用の微細加工用に適用されるフォトレジストは、半導体の黎明期には、数十um程度であったモノが、半導体素子の高性能化に伴い、昨今では、数nm レベルの加工に至っている。また、フォトレジストが、ディスプレイ、車載デバイス、通信デバイスに適用されるようになり、その使用法と要求特性は微細化のみならず、多様性を極めている。
特に、シンギュラリティの実現に伴い、今後必要とされる高性能な5感センサー、ソフトロボトロニクス、高速 (移動) 通信用のデバイスにおいては、従来のアプリケーション向けフォトレジストとは、更に特殊な要求が求められる事となっている。
今回の講演では、フォトレジストに求められる要求特性とそれを達成するための材料設計をメインにフォトレジストとはどういうモノであるかについて具体的に紹介する。
◆プログラム
１．フォトレジスト材料
1-1 フォトレジストとは
1-2 光化学反応に基づく4つのカテゴリー
1-3 露光波長毎のポジ型フォトレジスト原料構造と光化学反応
G～I線露光 KrF 露光 ArF 露光 EUV 露光
２．G~I線露光用ポジ型フォトレジスト原料の構造とレジスト設計
2-1 G~I線露光用ポジ型フォトレジスト原料構成
2-2 ノボラック樹脂の合成方法と構造特性
2-3 バラスト化合物と感光材の構造特性
2-4 各種添加剤の構造特性 (増感剤、界面活性剤)
2-5 溶剤の構造特性
３．フォトレジストのパターニングプロセスと性能影響因子
3-1 基板
3-2 塗布
3-3 プリベーク
3-4 露光
3-5 マスク
3-6 PEB
3-7 現像・リンス
3-8 ポストベーク
４．フォトレジストのパターニング後の耐性評価
4-1 ウェットエッチング
4-2 ドライエッチング
4-3 イオンインプラ
4-4 めっき
4-5 リフトオフ
4-6 犠牲層・構造化
５．フォトレジストのトラブルシューティング
６．フォトレジストが適用されるアプリケーション
6-1 半導体
6-2 パワーモジュール(車載・エナジーハーベスト)
6-3 MEMS 5感センサー
6-4 次世代高速移動通信Beyond5G/6G
6-5 光デバイス
７．アプリケーションの進化に伴いこれから求められるフォトレジスト予想
８．事前に頂いたフォトレジストに関するお悩み相談室
